Samsung: NAND lapkák 30 nm alatt
A koreai gyártó egy új fejlesztését jelentette be, ami nagy mértékben növelheti a kapacitást.
A Samsung bejelentette, hogy a legfrissebb TLC (Triple Level Cell) típusú NAND lapkáit már a 20 nm-es osztályban (20-29 nm) fogja készíteni, amelyek 64 Gbites kapacitással fognak rendelkezni. Ezek már cellánként 3 bitet képesek tárolni, de cserébe a sebesség kisebb, mint az MLC esetében, valamint a hibalehetőség is megnő. Az új chipeket USB eszközökhöz, memóriakártyákhoz, SSD-hez és okostelefonokhoz ajánlja a gyártó. Ez év augusztusában az Intel és a Micron már bemutatta a saját 64 Gbites TLC lapkáit, amelyeket 25 nm-es eljárással állítottal elő. A Samsung eddigi TLC lapkái csak 32 Gbitesek voltak és 30 nm-es osztályban (30-39 nm) készültek.
