Samsung премина към 20 nm за NAND Flash чипове

Корейската компания използва 64-гигабитова плътност на данните за новите си чипове, което ще се види и в SSD продуктите.

Samsung Electronics също официално обяви, че е започнала производството на NAND Flash чипове от така наречения тип Toggle DDR2.0 MLC, които са направени с 20 nm процес и имат плътност на данните от 64 гигабита (8 GB). Интерфейсът, наречен Toggle DDR2.0, е способен на 400 Mbps, което е десетократно увеличение спрямо SDR (Single Data Rate) NAND Flash памет, тъй като последните са способни само на 40 мегабита. А интерфейсът, наречен Toggle DDR 1.0, може да изстиска 133 мегабита данни в секунда, така че версия 2.0 е тройна скорост. Не на последно място, производителят очаква 50% подобрение в производителността в сравнение с версиите с 32 Gbit.

Samsung възнамерява и препоръчва новата разработка предимно за четвърто поколение смартфони, таблети и SSD продукти, използващи интерфейса SATA III.