DDR3 паметта вече е на 30 nm

Samsung също планира по-нататъшни надграждания с голям обем до края на годината.

Samsung започна масово производство на 2 Gbit чипове памет с 30 nm. В резултат на това консумацията и работното напрежение са значително намалени. Това означава, че часовник до 1,35 MHz е достъпен при 1.866 волта и 1,5 MHz при 2.133 волта.В сравнение с предишни чипове, произведени при 50 nm, спестяването на енергия до 20% може да бъде постигнато на фронта на сървъра. Производителят обаче не спира дотук и иска да представи 4Gbit чипове до края на тази година, които вече могат да произвеждат модули от 8 GB на настолни и лаптоп линии, докато за сървърите капацитетът на модула може да достигне 32 GB.

Модули с актуални 2 Gbit чипове ще се предлагат с капацитет 2, 4 и 8 GB, но все още няма информация за очакваните цени.